中芯国际与锐成芯微联合推出基于55纳米嵌入式闪存平台完整物联网解决方案
中芯国际集成电路制造有限公司与成都锐成芯微科技股份有限公司（以下简称“ACTT”）联合宣布推出基于中芯国际55纳米嵌入式闪存技术平台的模拟IP解决方案。成都锐成芯微模拟IP以及中芯国际55纳米工艺技术均针对低功耗应用而开发，能够充分满足物联网产品对低成本和超长电池寿命的需求。
近年来，全球物联网市场持续快速增长,并将很快成为半导体产业的主要推动力。同时亚太区拥有潜力占据更多的市场份额，并成为全球最重要的物联网市场之一。基于中芯国际55纳米嵌入式闪存工艺，ACTT成功推出了一款低功耗物联网平台，为全球客户提供低成本、低功耗的解决方案
“设计者需要根据物联网产品的能效指标改进解决方案。”ACTT首席执行官向建军表示，“ACTT在低功耗设计领域已深耕多年，积累了丰富的低功耗模拟电路设计经验。基于对物联网产品技术演进的判断，我们认为55纳米工艺是目前性能、功耗、成本最优的选择。中芯国际 55纳米嵌入式闪存工艺极具性能和成本优势，我们此次同中芯国际成功合作推出低功耗物联网模拟平台，能够为全球客户提供最具性价比的选择。”
中芯国际设计服务执行副总裁汤天申表示：“中芯国际55纳米嵌入式闪存平台可提供高性能和低功耗的解决方案。通过与ACTT的合作，我们将可以支持IC设计公司对多种物联网应用芯片的开发需求。中芯国际致力于与IC生态系统合作伙伴合作开发技术，优化知识产权设计，提供全面的平台解决方案，帮助客户缩短上市时间，抓住新兴智慧时代的机遇。”
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上海交通大学 荐稿